삼성전자가 개발한 12나노 D램 스펙

기존 대비 생산성 20% 향상

 

삼성전자가 업계 최선단인 12나노급 공정(5세대)으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발해 최근 AMD와 함께 호환성 검증을 마쳤다고 21일 밝혔다.  삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 높이고, 회로 특성 개선을 위한 혁신적인 설계 등을 통해 공정을 완성했다. 또 멀티레이어 EUV(극자외선, Extreme Ultra-Violet) 기술을 활용해 업계 최고 수준의 집적도로 개발됐다. 12나노급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다.

DDR5 규격의 이번 제품은 최대 동작속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도이다. 이전 세대 제품보다 소비 전력은 약 23% 개선될 것으로 보인다.  삼성전자는 내년부터 12나노급 D램을 양산하는 한편, 글로벌 IT기업들과 협력하며 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 계획이다. 이 제품은 데이터센터, 인공지능, 차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급될 예정이다 

 

이주영 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실장(부사장)은 “업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것”이라며  “차별화된 공정 기술력을 통해 개발된 이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 데이터센터ㆍ인공지능ㆍ차세대 컴퓨팅 등에서 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는데 기여할 것”이라고 말했다

 

조 매크리(Joe Macri) AMD 최고기술책임자(Corporate Fellow and Client and Compute and Graphics CTO)는 “기술의 한계를 뛰어 넘는 혁신을 위해서는  업계 파트너간 긴밀한 협력이 필요하다”며 “AMD의 젠(Zen) 플랫폼에서 DDR5를 검증하고 최적화하는데 삼성과 협력해 기쁘다”고 말했다.

 

출처 디일렉 다음서칭