인텔 차세대 기술 공개 : 3D 적층형 Fe램

IEDM 2022에서 공개

집적도 10배 향상 위한 3D 패키징 및 3D 적층형 Fe램 등 공개

 

인텔이 칩의 집적도를 대폭 향상시킬 수 있는 3D 패키징, 기존 메모리의 장점을 모두 결합한 Fe램 등 차세대 반도체 기술을 대거 공개했다. 5일 인텔은 '국제전자소자학회(IEDM) 2022'에서 2030년까지 단일 패키지에 1조개의 트랜지스터를 탑재하는 등 무어의 법칙을 지속하기 위한 주요 연구 성과를 발표했다. 이날 인텔 부품 연구 그룹은 새로운 3D 하이브리드 본딩 패키징 기술, 단일 칩에 더 많은 트랜지스터를 집적하기 위한  초박형 2D 물질, 더 높은 컴퓨팅 성능을 위한 에너지 효율성 및 메모리 등 크게 세 가지 분야의 연구 성과를 공개했다.

차세대 3D 패키징을 위한 준-모놀리식(복수의 기능을 단일 칩으로 구현하는 것) 칩은 하이브리드 본딩을 통해 칩의 집적도를 10배 개선할 수 있는 기술이다 인텔은 "하이브리드 본딩을 3um 피치까지 지속적으로 줄여 모놀리식 시스템-온-칩과 유사한 상호연결 집적도와 대역폭을 달성했다"고 밝혔다.

 

또한 인텔은 낮은 누설전류로 상온에서 이중 게이트 구조의 트랜지스터를 효율적으로 스위칭 하는 동시에, 원자 3개 두께인 2D 채널 물질을 이용해 나노시트 구조를 적층한 GAA(게이트-올-어라운드) 기술을 시연했다. 이와 더불어 더 높은 성능과 확장성을 갖춘 트랜지스터 채널의 기반을 닦을 수 있는 2D 물질에 전자의 접촉 형태에 관한 포괄적 분석을 업계 최초로 공개했다.

 

인텔은 칩 영역을 보다 효과적으로 사용하기 위해 트랜지스터 위에 수직으로 배치할 수 있는 메모리를 개발했다고도 밝혔다. 인텔은 업계 최초로 기존 강유전체 트렌치 캐패시터의 성능과 일치하면서도, 로직 다이에 강유전체 램(FeRAM)을 구축하는데 사용할 수 있는 3D 적층형 강유전체 캐패시터를 시연했다.

 

강유전체는 외부 전기장 없이도 스스로 분극 현상을 일으킬 수 있는 물질이다. 이를 활용해 만든 FeRAM은 낸드플래시와 같은 비휘발성 메모리 특성과 더불어 고용량, 빠른 데이터 처리 속도까지 두루 갖춘 것이 장점이다.

 

이외에도 인텔은 5G 전환 가속화 및 전력 효율성 향상을 위한 300mm GaN on Si 웨이퍼 기술을 공개했다 인텔은 업계 표준 GaN 대비 20배 높은 성능을 시연했으며, 고성능 컴퓨팅을 위한 전력 제공 부문에서 업계 최고 기록을 수립했다.

 

출처

디일렉

다음 서칭